供应闽台震阳场效应MOS管Z2301可替换SL2301详细内容
高密度单元设计低RDS(ON),电压控制的小信号开关****.
这些P沟道增强型场效应晶体管都采用了高密度,DMOS技术.
Drain - Source Voltage VDSS:20 V
Gate –Source Voltage VGS: ±8 V
Drain Current (Continuous) ID :3.2 A
Drain Current (Pulse) IDP :15 A
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主要经营集成电路、MOS管、DC-DC、电源IC、LDO、音频功放等。
单位注册资金单位注册资金人民币 250 - 500 万元。
我公司工程技术人员多名,技术力量强大,具有多年的生产经验,工艺水平**,产品质量严格把关。